This webinar presents techniques for high power characterization of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) components. We look at power levels as high as 2000W and electrical levels of up to 3,000V or 100A.
期間 44:39
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This webinar presents techniques for high power characterization of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) components. We look at power levels as high as 2000W and electrical levels of up to 3,000V or 100A.
期間 41m 41s
期間 4m 15s
期間 7m 10s