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次世代パワー半導体GeO2など最先端&計測技術セミナ、厳選8セッション|10/2-3(水-木)開催、参加費無料

Wind turbines for high-power producing components and devices

電力効率と信頼性

クリーンで環境に優しく再生可能な、そして高効率で高い出力を発揮する部品やデバイスの製作を加速します。

私たちは、変わりゆく世界の中で生きており、限られたエネルギー資源を管理することがさらに重要になっています。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリリウム(GaN)などのワイド・バンドギャップ半導体の技術の進歩により、クリーンで再生可能な信頼性の高いエネルギー・エコシステムの開発が実現可能になった一方、エンジニアにとっては新たな課題も生じています。エンジニアは、電化されている昨今のエコシステムの課題に取り組んで解決するために、測定ソリューションを提供しているテクトロニクスに期待しています。

研究開発と検証向けのSiCとGaNに関するパワー半導体ソリューションをご覧ください。

Wide bandgap semiconductor materials research

ワイド・バンドギャップ半導体材料の研究

WBG材料は、より高速なスイッチング速度、より高い出力密度、そしてより優れた高温動作、信頼性、サイズ、コストを実現するためのSiCやGaNの性能改善という継続的な課題において、中心的な材料となっています。
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

ワイド・バンドギャップ・デバイスの特性評価

SiCまたはGaNデバイスの基本特性や電気的性能を理解するには、電圧と電流の正確な測定が必要です。
iv characterization

I-V特性評価

I-V特性評価は、電子デバイスの電流と電圧の関係を測定するためのプロセスです。このプロセスは、デバイスのテストや最適化、そしてワイド・バンドギャップ半導体の開発には欠かせないものです。
AFG31000 for double pulse testing

ダブル・パルス・テスト

ダブル・パルス・テストは、MOSFETやIGBTなどのパワー・デバイスのスイッチング・パラメータを測定するための標準的な方法です。従来、ファンクション・ジェネレータにはテストの構成や設定を行う機能が組み込まれていなかったため、この方法は、ダブル・パルス・テストのセットアップに時間を要するプロセスとされていました。
wide bandgap devices

ワイド・バンドギャップ・デバイスの検証

新しいSiCおよびGaNデバイスの設計では、プロセスの改善、歩留まりの向上、およびコストの削減を実現するために、設計段階と製造段階の両方で多くのテストが必要になります。WBGパワー・デバイスのテストでは、従来のシリコンよりも、より優れた解像度、より高い出力、より速い速度が必要です。
Validating Power Management ICs

パワー・マネジメントICの検証

パワー・マネジメント・デバイスは「縁の下の力持ち」であり、電子システムの安全で適切な動作を陰から支える重要なコンポーネントです。