お問い合わせ
ダウンロード
マニュアル、データシート、ソフトウェアなどのダウンロード：
フィードバック
ワイド・バンドギャップ半導体材料の研究 – 新たな世界のチャレンジ
消費電力を削減しつつ、デバイスの密度と性能を強化する努力は、高いキャリア移動度と伝導度を持つ独自の2次元（2D）有機半導体やナノスケールのデバイスの研究へとつながりました。環境にやさしい発電ソリューションに対する要求は、電力変換に必要不可欠な温度のより高い超電導体や電力半導体の研究に拍車をかけています。ガリウムヒ素（GaAs）や炭化ケイ素（SiC）のような材料が、未来の動力伝達テクノロジで重要になってきます。材料の研究も太陽電池の変換効率や出力を強化するために重要となります。テクトロニクスとケースレーは、高感度テスト機器、計測機において世界をリードし、研究者、科学者、エンジニアが新しい材料の可能性を引き出せるようにしています。
詳細をご覧ください。
半導体測定の技術
4点プローブ測定技術
半導体材料の研究やデバイスのテストでは、多くの場合、サンプルの抵抗率やホール移動度の判定を行います。半導体材料の抵抗率は、主にバルク・ドーピングによって決まります。デバイスにおいては、抵抗率が容量、直列抵抗、およびスレッショルド電圧に影響を与えることがあります。多くの場合、半導体の抵抗率は4点プローブ法を用いて判定されます。4本のプローブを使用することで、プローブ抵抗、各プローブ下の広がり抵抗、各金属プローブと半導体材料間の接触抵抗による測定誤差が排除されます。
ファンデルポー抵抗率測定法
半導体材料の抵抗率は、ファンデルポー（vdp）法を使用して導出されることがあります。4線式のこの方法は、厚さが均一かつ平らで、4つの端子を持つ小さなサンプル上で用いられます。ファンデルポー法では、厚さが均一かつ平らで任意の形状を持つサンプルの、周囲にある4つの小さな接点を使用して、電流の印加や電圧の測定が行われます。この方法は、接点の幾何学的間隔が重要ではないため、特に非常に小さなサンプルを測定する際に役立ちます。サンプルのサイズ（おおよそのプローブ間隔）による影響は無視することができます。この方法を使用すれば、サンプルの周囲で行す合計8回の測定から抵抗率を求めることができます。
材料の特性評価におけるホール効果測定
ホール効果測定は、半導体材料にとって重要なものです。ホール電圧の測定は、磁界をかけた状態で可能になります。ホール効果測定システムは、実際には非常に多くの材料パラメータの決定に使用できますが、最も重要なパラメータはホール電圧（VH）です。キャリア移動度、キャリア密度（n）、ホール係数(RH)、抵抗率、磁気抵抗（R）、導電率タイプ（NまたはP）などの他の重要なパラメータはすべて、ホール電圧測定から導出されます。ホール効果の測定値は、シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）のみならず、シリコンゲルマニウム（SiGe）、炭化ケイ素（SiC）、ガリウムヒ素（GaAs）、アルミニウムガリウムヒ素（AlGaAs）、ヒ化インジウム（InAs）、ヒ化インジウムガリウム（InGaAs）、リン化インジウム（InP）、テルル化カドミウム（CdTe）、テルル化カドミウム水銀（HgCdTe）など、半導体の生産に使用される事実上すべての材料の特性評価に役立ちます。
ワイド・バンドギャップ半導体測定に関する製品
ワイド・バンドギャップ半導体に関する参考資料
ワイド・バンドギャップ半導体に関するよくある質問
ワイド・バンドギャップ半導体とは？
ワイド・バンドギャップ半導体とは、電子やホールが価電子帯の上部から伝導帯の下部に遷移するために必要なエネルギーが大きい半導体のことです。パワー・エレクトロニクスで使用される半導体材料は、シリコン（ケイ素）からSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）などのワイド・バンドギャップ半導体に移行しつつあります。
ワイド・バンドギャップ半導体の例は？
代表的なものとして、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などがあります。SiCやGaNは、自動車や産業分野のアプリケーションにおいて、優れた性能を示しています。
ワイド・バンドギャップ半導体のメリットは？
GaNやSiCなどのワイド・バンドギャップ半導体を使用することで、設計はより小型に、高速に、効率的になります。