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Wind turbines for high-power producing components and devices

전력 효율성 및 신뢰성

친환경적이고, 깨끗하며, 재생 가능하고, 효율적인 고전력 생산 구성 요소 및 장치의 생성을 가속화합니다.

우리는 끊임없이 변화하며 제한된 에너지 자원의 관리가 더욱 중요해진 세상에 살고 있습니다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)과 같은 광대역 밴드갭 반도체 기술의 발전은 깨끗하고, 재생 가능하며, 신뢰할 수 있는 에너지 생태계의 개발을 가능하게 하는 동시에 엔지니어에게 새로운 과제를 제시합니다. 엔지니어는 Tektronix가 오늘날의 전기화된 생태계 과제와 다가올 문제를 해결하기 위한 측정 솔루션을 제공하기 위해 존재한다고 믿습니다. 

R&D 및 검증을 위한 SiC 및 GaN용 솔루션 살펴보기

Wide bandgap semiconductor materials research

광대역 밴드갭 반도체 재료 연구

WBG 재료는 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 전력 밀도, 고온 작동, 신뢰성, 크기 및 비용을 위해 SiC 및 GaN의 성능을 개선하기 위한 지속적인 과제의 핵심입니다.
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

광대역 밴드갭 장치의 특성화

SiC 또는 GaN 장치의 기본 속성과 전기적 성능을 이해하려면 정밀한 전압 및 전류 측정이 필요합니다.
AFG31000 for double pulse testing

이중 펄스 테스트

이중 펄스 테스트는 MOSFET 또는 IGBT 전력 장치의 스위칭 매개변수를 측정하기 위한 표준 방법입니다. 함수 발생기에는 테스트 구성 및 설정 방법이 내장되어 있지 않기 때문에 이는 역사적으로 이중 펄스 테스트를 설정하는 데 시간이 많이 걸리는 프로세스였습니다.
wide bandgap devices

광대역 밴드갭 장치 검증

새로운 SiC 및 GaN 장치를 설계하려면 공정 개선, 수율 향상 및 비용 절감을 위해 설계 및 생산 단계에서 많은 테스트가 필요합니다. WBG 전력 장치를 테스트하려면 기존 실리콘에 비해 더 나은 분해능, 더 높은 전력 및 더 빠른 속도가 필요합니다.