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와이드 밴드갭 반도체 테스트
IV(본질적 변광성) 특성화는 와이드 밴드갭 반도체 개발에 중요합니다. 기존 소재에 비해 우수한 전기적 특성이 있는 이 반도체는 전력 전자공학 부문에서 잠재적으로 응용 분야가 광범위합니다. 이러한 소재의 I-V 특성을 이해하면 이를 최적의 사용 및 개발이 가능합니다.
안전하고 지속 가능한 방식으로 더 효율적인 설계 생성
SiC와 GaN이 업계를 변화시키는 방법
ISiC과 GaN은 파워 일렉트로닉스, 고주파 전자 장치, LED, 항공 및 방위를 포함한 광범위한 응용 분야에서 사용되고 있습니다. ISiC과 GaN을 통해 이러한 분야에서 더욱 효율적이고 진보한 기술의 개발이 가능하며, 이것들이 혁신과 진보를 주도하고 있습니다.
펄스형 I-V 특성화
펄스형 I-V는 반도체 및 디바이스의 전기적 특성을 측정하는데 유용한 기술입니다. 짧은 전압 펄스를 사용해 디바이스의 저항, 커패시턴스 및 기타 성능 지표를 분석할 수 있습니다. 이 기술은 전력 반도체 업계의 디바이스 엔지니어, 연구원, 설계자가 효율적인 고급 전자 디바이스를 개발하는데 유용합니다.
MOSFET의 I-V 특성화에 사용되는 2채널 SMU를 보여주는 회로 다이어그램.
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Keithley KickStart 소프트웨어 및 2470 고전압 SourceMeter® SMU(소스 측정 장치)를 사용한 역브레이크다운 전압 테스트.
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브레이크다운 전압을 평가하여 신뢰성 보장
브레이크다운 전압 테스트에는 일반적으로 전기 절연 특성에서 브레이크다운을 겪을 때까지 장치가 전압 수준을 증가시키도록 하는 작업이 포함됩니다. 브레이크다운 전압은 특수 테스트 장비 및 절차를 사용해 측정할 수 있으며 소재의 특성, 두께, 장치의 기하학적 구조와 같은 여러 요인에 따라 달라질 수 있습니다.
브레이크다운 전압 테스트는 전기 및 전자 장치의 안전성과 성능을 보장하기 위한 중요한 절차입니다.
곡선군 탐색 및 측정
곡선군은 복잡한 시스템을 설계하고 분석하는데 중요한 역할을 하는 엔지니어링의 필수 개념입니다. 이러한 곡선은 파라미터 간 유사한 특성과 기능적 관계를 공유하는 그래픽 솔루션 그룹입니다. 엔지니어는 이러한 곡선을 사용하여 부하, 응력, 온도, 압력과 같은 다양한 조건 하의 시스템 동작을 이해합니다. 엔지니어들은 또한 최상의 설계 파라미터를 선택하여 업계 프로세스의 성능을 최적화하기 위해 이러한 곡선을 활용합니다. 전기 공학에서 기계 공학에 이르기까지 곡선군은 엔지니어가 정보에 입각한 결정을 내리고 효율적인 솔루션을 만드는 것을 돕는 필수 도구입니다.
임계값 전압을 표시하는 4200A-SCS MOSFET 파라미터 분석기.
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MOSFET을 통해 쉽게 회로 전환 및 증폭
MOSFET, 즉 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터는 현대 엔지니어링 설계에서 가장 흔히 사용되는 전자 부품 중 하나입니다. MOSFET은 높은 효율성과 다용도성을 갖춤으로써 전자 공학에 혁명을 일으켜 현대 전자 제품에 필수인 더 작고 더 효율적인 회로를 가능케 했습니다. MOSFET은 오늘날 전자 제품에서 필수가 된 반면, 이를 정확히 측정하는 것은 중요합니다. MOSFET 측정에는 일반적으로 저항, 커패시턴스, 전류-전압(I-V) 곡선과 같은 전자적 특성을 결정하는 작업이 포함됩니다. 엔지니어는 다양한 기술과 장비를 사용하여 MOSFET의 성능을 측정합니다. 이를 통해 회로 설계를 최적화하고 안정적인 작동을 보장합니다.
