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Test des semi-conducteurs à large bande interdite
La caractérisation des variables intrinsèques (IV) est cruciale pour développer des semi-conducteurs à large bande interdite. Ces semi-conducteurs, qui présentent des propriétés électriques supérieures à celles des matériaux traditionnels, offrent un large éventail d'applications potentielles dans le domaine de l'électronique de puissance. Comprendre les caractéristiques I-V de ces matériaux permet d'optimiser leur utilisation et leur développement.
Créer des modèles plus efficaces de manière sûre et durable
La demande en carbure de silicium et en nitrure de gallium est en hausse, notamment pour la 5G, le secteur automobile et les systèmes énergétiques
En savoir plus :
Allez-vous sauter le pas et adopter le SiC et le GaN en matière d'alimentation électrique ?
Les nouveaux composants semi-conducteurs haute puissance repoussent les limites de l'instrumentation
Comment le SiC et le GaN changent l'industrie
Le SiC et le GaN sont utilisés dans un large éventail d'applications, notamment l'électronique de puissance, l'électronique à haute fréquence, les LED, l'aérospatiale et la défense. Ils permettent le développement de technologies plus efficaces et plus avancées dans ces domaines et favorisent l'innovation ainsi que le progrès.
Caractérisation I-V pulsée
La méthode I-V pulsée est une technique utile pour mesurer les propriétés électriques des semi-conducteurs et des dispositifs. En appliquant de brèves impulsions de tension, nous pouvons analyser la résistance, la capacité ainsi que d'autres indicateurs de performance du dispositif. Cette technique est précieuse pour les ingénieurs, les chercheurs et les concepteurs de l'industrie des semi-conducteurs de puissance. Elle permet de mettre au point des produits électroniques avancés et efficaces.
Schéma de circuit montrant une SMU à deux canaux utilisée pour la caractérisation I-V d'un MOSFET.
En savoir plus :
Caractérisation I-V pulsée des MOSFET à l'aide du logiciel Keithley KickStart
Conseils et techniques pour des tests DC efficaces et caractérisation courant-tension
Test de tension de claquage inverse à l'aide du logiciel Keithley KickStart et d'une unité de source et de mesure (SMU) SourceMeter® haute tension 2470.
En savoir plus :
Démonstration du test de tension de claquage inverse
Mesures des courants de fuite et de claquage 2470 sur les semi-conducteurs haute tension
Evaluer la tension de claquage pour garantir la fiabilité
Le test de la tension de claquage consiste généralement à soumettre un dispositif à des niveaux de tension croissants jusqu'à ce que ses propriétés d'isolation électrique se dégradent. La tension de claquage peut être mesurée à l'aide de procédures d'essai et d'équipements spécialisés. Elle peut dépendre de divers facteurs tels que les propriétés du matériau, son épaisseur et la géométrie du dispositif.
Tester la tension de claquage est une procédure importante pour garantir la fiabilité et les performances des appareils électriques et électroniques.
Explorer et mesurer la famille de courbes
La famille de courbes est un concept essentiel en ingénierie. Elle joue un rôle crucial dans la conception et l'analyse de systèmes complexes. Ces courbes sont un groupe de solutions graphiques qui partagent des caractéristiques similaires et des relations fonctionnelles entre leurs paramètres. Les ingénieurs les utilisent pour comprendre le comportement d'un système dans différentes conditions de charge, de contrainte, de température et de pression. Ils utilisent également ces courbes pour sélectionner les meilleurs paramètres de conception et optimiser les performances des processus industriels. De l'ingénierie électrique à l'ingénierie mécanique, la famille de courbes est un outil indispensable qui aide les ingénieurs à prendre des décisions éclairées et à créer des solutions efficaces.
Analyseur de paramètres 4200A-SCS mesurant les courbes I-V.
En savoir plus :
L'analyseur de paramètres 4200A-SCS affiche la tension de seuil du MOSFET.
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7 meilleurs tests de caractérisation pour les MOSFET
Conseils et techniques pour simplifier la caractérisation des circuits MOSFET/MOSCAP
Commutation et amplification de circuits en toute simplicité avec les MOSFET
Les transistors à effet de champ MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur) sont l'un des composants électroniques les plus couramment utilisés dans la conception technique moderne. Les MOSFET ont révolutionné l'ingénierie électronique en raison de leur efficacité et de leur polyvalence. Ils permettent de réaliser des circuits plus petits et plus performants, ce qui est essentiel dans l'électronique moderne. Bien qu'ils soient aujourd'hui indispensables dans l'électronique, il est crucial de mesurer les MOSFET avec précision. Mesurer les MOSFET implique généralement de déterminer leurs caractéristiques électriques, telles que la résistance, la capacité et les courbes courant-tension (I-V). Afin de mesurer les performances des MOSFET, les ingénieurs utilisent diverses techniques et instruments. Cela leur permet d'optimiser la conception des circuits et d'assurer un fonctionnement fiable.
