This webinar presents techniques for high power characterization of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) components. We look at power levels as high as 2000W and electrical levels of up to 3,000V or 100A.
Длительность 44:39
Свяжитесь с нами
Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00 CET
Звонок
Позвоните нам
С 9:00 до 17:00 CET
Загрузить
Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.:
Обратная связь
SiC- GaN Components - 5 Key Tests
Длительность 44:39
