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Sichere, genaue, schnelle MOSFET-Prüfungen
Für Si-, SiC- und GaN-Bauelemente
Schnellere Markteinführungszeit für Ihre Leistungshalbleiterelemente
Halbleiter mit großer Bandlücke (wie z. B. SiC und GaN) werden jetzt in Kombination mit herkömmlichem Silizium in anspruchsvollen Anwendungen wie Automobil und HF-Kommunikation eingesetzt, da diese bei höheren Frequenzen, Spannungen und Temperaturen bei geringerer Verlustleistung arbeiten können. Effizienzsteigerungen bei herkömmlichen Siliziumdesigns ermöglichen jedoch die Umsetzung eines hohen Wertbeitrags in zahlreichen Anwendungen auf dem ausgedehnten Markt. Profitieren Sie von einer schnelleren Markteinführungszeit Ihrer Halbleiterbauelemente bei gleichzeitiger Minimierung von Ausfällen im Feld.
Erfahren Sie, wie es geht:
Große Leistungshüllkurve
Die manuelle Charakterisierung auf Wafer- und Bauteil-Ebene erfordert das Erlernen neuer Techniken und Messgeräte, wenn es um hochempfindliche Messungen geht (z. B. Leckstrommessung im pA-Bereich während Durchschlagspannungsmessungen). Erzeugen Sie Ströme bis 100 A und Spannungen bis 3000 V, optimieren Sie komplexe und zeitaufwändige Umkabelung zwischen Messungen im Durchlasszustand, im Sperrzustand und Kapazitätsmessungen mit Testlösungen für Leistungshalbleiter von Keithley.

Typische Anordnung für Messungen im Durchlasszustand.
Richten Sie Ihre Prüfung sicher ein

8010 High Power Device Test Fixture ermöglicht sichere und einfache Verbindungen für Messungen an Leistungsbauelementen bis 3 kV oder 100 A.
Sie müssen auch die Hochspannungsmessungen sicher einrichten und die Ergebnisse schnellstmöglich erhalten. Deren manuelle Entwicklung erfordert Expertise in Programmierung und Kenntnisse, um ein System sicherheitskonform einzurichten. Sie müssen dies nicht selbst tun. Sichere und einfache Anschlüsse zum Messen an diskreten Bauteilen bis 3000 V oder 100 A mit 8010 High Power Device Test Fixture. Führen Sie schnell und einfach gängige I-V-Messungen durch, ohne ACS-BASIC programmieren zu müssen.
Profitieren Sie von einer zweimal schnelleren Bauteilcharakterisierung für schnellere Markteinführungszeiten
Für Produkte auf herkömmlicher Si- und GaN-Basis können Sie die Messergebnisse schnell erhalten, indem Sie den Parameteranalysator 4200A einsetzen. Er ermöglicht automatisierte Messungen bis 200V und 1A.

4200A-SCS.
Vermeiden Sie kostenintensive Überdimensionierungen Ihrer Wide Bandgap Hableiter
Potentialfreie differenzielle Messungen (wie z.B. bei der Messung von Vgs eines FETs in einem Schaltnetzteil) sind aufgrund der hohen Frequenzen und Gleichtaktspannungen schwierig oder schier unmöglich zu bewältigen, da die üblichen Tastköpfe bei hohen Bandbreiten keine ausreichende Gleichtaktunterdrückung aufweisen. Die niedrige Gleichtaktunterdrückung führt dazu, dass die Messungen durch Gleichtaktfehler dominiert werden, anstatt das tatsächliche differentielle Signal abzubilden. Tektronix hat dafür eine einzigartige Lösung: Den isolierten IsoVu-Tastkopf, bei dem die Gleichtaktunterdrückung – innerhalb der zum Betrieb von GaN- und SiC-Bauelementen gegebenen Anforderungen – nicht mit der Frequenz abfällt und somit genaue Differentialmessungen ermöglicht. Somit können Sie Leitungs-, Totzeit- und Schaltverluste ermitteln und präzise berechnen. Wenn Sie zudem keinen integrierten Gate-Treiber verwenden, können Sie dank der Möglichkeit, potentialfreie differentielle Messungen durchzuführen, die Totzeit zum Ein- und Ausschalten Ihres Geräts messen und kontrollieren. Weiterhin können Sie nun eine Überbewertung hochfrequenter Störstrahlung von Leistungswandlern durch die Entstehung von steilen Transienten (dv/dt) bei harten Schaltvorgängen vermeiden.
Ein weiterer zu berücksichtigender Aspekt ist die Auswirkung der Tastkopfkapazität bei höheren Taktfrequenzen. Eine zu hohe Tastkopfkapazität führt zu einem Abrunden der ansteigenden Flanke in der Messung, wodurch wichtige Frequenztakteigenschaften verloren gehen. Ein Hinzufügen des Tastkopfes zu den sehr empfindlichen, potenzialfreien Gate-Signalen kann darüber hinaus zu einer Beschädigung des Geräts durch die kapazitive Belastung, die durch Störsignale verursacht wird, führen. Die geringe Kapazität des ISOVu-Tastkopfs minimiert auch Probleme mit der Tastkopfkapazität am Gate sowie die Gefahr von Beschädigungen am Gerät aufgrund von Störsignalen.

Mit dem IsoVu-Tastkopf kann die High-Side-Gate-Spannungsform genau erfasst werden, um die Schaltleistung und Zuverlässigkeit auswerten und ohne Beeinträchtigung des dV/dt optimieren zu können.
Ausgewählte Inhalte
Herausforderungen bei On-Wafer-Leistungshalbleitertests bewältigen.
Anwendungshinweis
Minimieren Sie Umkabelung und Anwenderfehler bei der Durchführung umfassender DC I-V- und C-V-Messungen an Leistungshalbleitern.
Überlasttests an Hochleistungs-HV-IGBT
Video
Erfahren Sie, wie Überlasttests an Hochleistungs-HV-IGBT durchgeführt werden
Vereinfachung der MOSFET- und MOSCAP-Charakterisierung
e-Guide
Dieser e-Guide beantwortet einige häufig gestellte Fragen zur Verbesserung von Halbleitermessungen, mit einem Fokus auf DC I-V- und Kapazität-Spannung-Messungen. Er behandelt auch spezifischere Anwendungen und beschreibt, wie Sie Messungen vereinfachen können, die an Ihren anspruchsvollsten Anwendungen erforderlich sind.
Tektronix IsoVu-Messsysteme helfen Panasonic Semiconductor Solutions, die Entwicklungsdauer für ein neues GaN-Gerät deutlich zu senken
Fallstudie
In diesen Fallstudien wird beschrieben, wie Panasonic das leistungsstarke IsoVu-Messsystem dafür nutzte, die High-Side-Gate-Spannung exakt zu erfassen, um damit die Schaltleistung und Zuverlässigkeit ohne dV/dt-Smoothing sowohl zu optimieren, als auch zu evaluieren. Die für die Analyse des Half-Bridge-Schaltkreises und des Signals erforderliche Zeit konnte auf diese Weise deutlich reduziert werden.
Zweimal schnellere Durchführung von DC I-V- und C-V-Messungen
4200A-SCS

Beschleunigen Sie die Forschungs-, Zuverlässigkeits- und Fehleranalysestudien für Halbleiterbauteile, Materialien und Prozessentwicklung mit dem 4200A-SCS. Als leistungsstärkster Parameter-Analysator bietet er synchronisierte Messungen für Strom-Spannung (I-U), Kapazität-Spannung (C-U) und ultraschnell gepulste I-U-Messungen.
Die GUI-basierte Software 4200A-SCS ClariusTM ermöglicht klare, störungsfreie Mess- und Analysefunktionen. Ausgestattet mit integrierter Messexpertise und hunderten von einsatzbereiten Anwendungsprüfungen, ermöglicht Ihnen die Clarius Software die schnelle und sichere Vertiefung in Ihre Forschungsarbeit.
Sie können den Parameteranalysator 4200A-SCS durch Hinzufügen weiterer Instrumente jetzt oder später ganz an Ihre Bedürfnisse anpassen und nach Bedarf aktualisieren. Mit dem Parameteranalysator 4200A-SCS war es nie einfacher, Ihre großen Entdeckungen herauszustellen.
Komplettlösungen zur Charakterisierung von Hochleistungsgeräten
Parametrische Kurvenverfolgungskonfigurationen

Die Entwicklung und Verwendung von MOSFETS, IGBTs, Dioden und anderen Hochleistungskomponenten erfordert eine umfassende Charakterisierung auf Komponentenebene, wie z. B. Durchbruchspannungs-, Durchlassstrom- und Kapazitätsmessungen. Die Line der leistungsstarken PCT-Konfigurationen von Keithley unterstützt das gesamte Spektrum an Komponententypen und Testparametern. Die parametrischen Kurvenverfolgungskonfigurationen von Keithley beinhalten alles, was der Charakterisierungsingenieur für die schnelle Entwicklung eines kompletten Testsystems benötigt.
Charakterisierung von Leistungshalbleitern und Komponenten
Serie 2650A

Die leistungsstarken SMU-Geräte der SourceMeter®-Serie 2650A sind speziell für die Charakterisierung und Prüfung von Hochspannungs-/Hochstromelektronik und Leistungshalbleitern konstruiert, wie etwa Dioden, FETs und IGBTs, LEDs mit hoher Helligkeit, DC-DC-Wandler, Batterien, Solarzellen und sonstigen Hochleistungsmaterialien, Komponenten, Modulen und Baugruppen. Die Geräte bieten eine beispiellose Leistung, Präzision, Geschwindigkeit, Flexibilität und Bedienerfreundlichkeit und ermöglichen dadurch eine Erhöhung der Produktivität in F&E, bei Produktionstests und in Umgebungen mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit. Es sind zwei Geräte erhältlich, mit denen eine Impulsstärke von bis zu 3000 V bzw. bis zu 2000 W möglich ist.
Reduzierung der Wide Bandgap Designzeit
Isolierte IsoVu-Tastköpfe

IsoVu®-Tastköpfe sind das richtige Werkzeug für die heutigen hohen Anforderungen bei der Leistungsmessung. Sie bieten industrieweit führende 1-GHz-Bandbreiten, 160 dB oder 100-Millionen-zu-1-Gleichtaktunterdrückung, 60 kV Gleichtaktspannungen, hohe ± 2500 V Gegentaktspannungen und eine ausgezeichnet geringe Belastung der zu messenden Schaltung.
Hervorragende Leistungsmessung und -analyse
MSO (Mixed-Signal-Oszilloskope) der Serie 5

Dank der innovative Touchscreen-Benutzeroberfläche mit Pinch-Swipe-Zoom-Funktionen, des branchenweit größten Displays mit hoher Auflösung und der 4, 6 oder 8 FlexChannel™-Eingänge für die Messung von einem analogen oder acht digitalen Signalen kann es das MSO der Serie 5 mit den schwierigsten aktuellen und zukünftigen Herausforderungen aufnehmen. Es setzt einen neuen Standard für Leistung, Analyse und Benutzerfreundlichkeit.