Свяжитесь с нами
Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00 CET
Позвоните нам
С 9:00 до 17:00 CET
Загрузить
Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.:
Обратная связь
Чтобы обеспечить требуемые характеристики, необходимо безопасное тестирование с высокой скоростью и точностью полевых МОП-транзисторов на основе Si, SiC и GaN в лабораторных условиях, а также на уровне пластины. Подробнее о проблемах тестирования, возникающих при включении в разработку силовых устройств на основе SiC и GaN, а также способах решения таких проблем. Сведение к минимуму потерь энергии и достижение максимального времени работы от аккумуляторной батареи разрабатываемых изделий. Сокращение времени вывода на рынок новых разработок.

Определение характеристик мощных полупроводников устройств
- Безопасное высокоскоростное, высокоточное тестирование полевых МОП-транзисторов на основе Si, SiC и GaN
- Увеличенная огибающая мощности
- Безопасная настройка тестирования
- Сокращение времени на определение характеристик устройств в 2 раза для ускорения их выхода на рынок
- Исключение дорогостоящего резервирования при проектировании широкозонных устройств

Автоматическое параметрическое тестирование
- Полностью автоматическое тестирование высоким напряжением на уровне пластины
- Переход от тестирования высоким напряжением до тестирования низким напряжением, не меняя настройки
- Измерение ёмкости без повторного переключения контактов вручную, быстрая автоматизация

Ускорение вывода на рынок новых преобразователей электроэнергии
- Устранение проблем с высоким напряжением синфазного сигнала
- Одновременное измерение нескольких управляющих и синхросигналов
- Ускорение автоматических измерений характеристик систем питания
- Не пропускайте тестирование на соответствие

Достижение максимального времени работы от аккумуляторов для устройств класса «Интернет вещей» (IoT)
- Определение профиля тока нагрузки
- Эмуляция любой аккумуляторной батареи
- Эмуляция любого типа батареи
Другие области применения в секторе энергоэффективности: