電力効率 | テクトロニクス

研究室やウエハ・テスト環境でのSi、SiC、GaNのMOSFETのテストを安全、正確、迅速に実行できます。SiC、GaNを設計に採用した結果生ずるテストの課題とその解決方法について学びます。最終製品の電力消費を最小化し、バッテリ寿命を最大化する方法を探ります。設計から市場投入までの時間を加速します。

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パワー・デバイスの特性評価

Si、SiC、GaNデバイスのMOSFETの安全、正確、迅速なテスト
広範な電力エンベロープ
テストの安全なセットアップ
市場投入までの時間を半分に短縮する、デバイスの特性評価
ワイド・バンドギャップ・デバイスの高価な過大設計の回避

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自動パラメトリック・テスト

高電圧によるウエハ・レベルの完全自動テスト
テスト・セットアップを変更せずに高電圧から低電圧に移行する
手動による再構成を行わずにキャパシタンスを測定する高速自動化

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電力変換設計の市場投入までの時間を短縮

高コモン・モード電圧の克服
複数の制御信号とタイミング信号の同時測定
迅速な自動パワー測定
コンプライアンス不合格を回避

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IoTデバイスのバッテリ寿命の最大化

負荷電流プロファイルの評価／解析
あらゆる種類のバッテリのシミュレートが可能
いかなるタイプのバッテリもモデル化が可能

電力効率向上により用途を拡大

電力効率の最新動向

当社のエンジニアは、設計を検討する際にかつてないほどに電力効率の重要性が高まっている理由について見解を共有しています。また、このページをお気に入りに登録して定期的に更新しています。

「今振り返ると、今年はSiCパワー・デバイスにとってまさに大きな転換点でした。実際、数多くの製品が市場に登場したのです。」

Tom Neville、テクトロニクス