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피드백
실험실 및 웨이퍼 테스트 환경에서 안전하고 정확하고 빠른 Si, SiC 및 GaN MOSFET 테스트를 보장합니다. SiC 및 GaN을 설계에 도입함으로 인해 발생하는 테스트 문제 및 이를 해결하는 방법에 대해 자세히 알아봅니다. 최종 제품의 전력 드로우(power draw)를 최소화하고 배터리 수명을 극대화하는 방법을 알아봅니다. 설계에 대한 시장 출시 기간을 단축합니다.
전력 장치 특성화
- Si, SiC 및 GaN 장치에 대한 안전하고, 정확하고, 빠른 MOSFET 테스트
- 광범위한 전력 엔벨로프(envelope)
- 안전하게 테스트 설정
- 시장 출시 기간을 단축하는 2배 빠른 장치 특성화
- 광대역 밴드갭 장치의 비용이 많이 드는 과도한 설계 방지
자동 파라메트릭(Parametric) 테스트
- 전자동 HV 웨이퍼 레벨 테스트
- 테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환
- 수동 재구성 없이 커패시턴스(capacitance) 측정 빠른 자동화
전력 변환 설계의 시장 출시 기간 단축
- 커먼 모드(common mode) 고전압 해결
- 여러 제어 및 타이밍 신호를 동시에 측정
- 보다 빠른 자동 전력 측정
- 컴플라이언스의 성공적 이행
전력 효율성의 추가 애플리케이션: