使用 JEDEC JEP183A 標準簡化 SiC MOSFET 裝置特性分析

精準閾值電壓測試的首選解決方案

碳化矽 (SiC) MOSFET 通常會表現出滯後效應，這主要是由於陷阱效應，會導致閾值電壓 (Vth) 發生偏移。這種閾值電壓差異會影響某些裝置參數，例如漏電流和導通電阻。

4200A-SCS 參數分析儀與 Clarius+ 軟體套件和兩台 SMU 配合使用，可使用以 JEDEC JEP183A 標準為基礎的測試方法，對 SiC MOSFET 進行精確的閾值電壓量測。這些方法透過施加調理脈衝來釋放陷阱，進而減輕滯後效應。利用其內建的測試和專案庫，Clarius 軟體使 4200A-SCS 成為 SiC 裝置特性分析的強大工具。

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下載應用文章

適用於材料、半導體裝置和製程開發的終極參數分析儀

見證您的創新成果付諸實行。4200A-SCS 是可自訂且完全整合的參數分析儀，可提供對電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快速脈衝 I-V 特性分析的同步詳細資料。4200A-SCS 是效能最高的參數分析儀，可加速半導體、材料和製程的開發。4200A-SCS ClariusTM 則是以圖形化使用者介面 (GUI) 為基礎的軟體，可提供清晰、卓越的量測和分析功能。Clarius 軟體內建豐富的量測專業知識和數百個隨時可用的應用測試，讓您能夠快速、自信地深入研究。

Clarius+ 分析套件

Clarius+ 軟體套件可讓您輕鬆取得材料和裝置的特性洞察。此套件可在 4200A-SCS 上本機執行，讓您輕鬆規劃、配置和分析測試結果。Clarius 也可以安裝在任何 Windows 10 PC 上，以便在實驗室執行測試之前規劃和配置測試，或在收集資料後分析資料。