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量測切換參數的標準方法

對於負責 SiC 和 GaN 裝置的功率裝置工程師來說,將切換損耗降至最低仍然是一大挑戰。量測切換參數以及評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 與 IGBT 動態行為的標準測試方法為雙脈波測試 (DPT)。雙脈波測試可用於量測裝置開啟和關閉時的能量損耗,以及反向還原的參數。

雙脈波測試和優點

雙脈波測試的基礎知識

雙脈波測試之執行,為使用兩個裝置進行。其中一個裝置是待測裝置 (DUT),第二個裝置則通常是與 DUT 相同類型的裝置。請注意「高」端裝置上的電感負載。電感器用於複製轉換器設計中可能具有的電路條件。所使用的儀器包括供應電壓的電源供應器或 SMU、用於輸出脈波而觸發 MOSFET 閘極並將其開啟以開始傳導電流的任意函數產生器 (AFG),以及用於量測所得波形的示波器。

如何產生雙脈波測試的閘極驅動訊號

產生閘極驅動訊號以執行雙脈波測試最簡單的方法就是使用任意波形產生器 (AFG)。AFG 可用於產生閘極驅動訊號以執行雙脈波測試。Tektronix AFG31000 具有內建的雙脈波測試應用程式,可建立具有不同脈波寬度的脈波。

generate gate drive signals double pulse test

設置設備以進行雙脈波測試。


瞭解更多:

使用 AFG31000 進行雙脈波測試

如何量測開啟和關閉時間以及能量損耗

示波器是擷取雙脈波波形的絕佳工具,讓您取得裝置的開啟和關閉時間參數。搭配 Tektronix 4/5/6 系列 B MSO 和寬能隙雙脈波測試應用軟體 (選配WBG-DPT),讓您在彈指間就能掌握擷取參數所需的一切。WBG-DPT 選配可根據 JEDEC 和 IEC 標準提供自動切換、計時和二極體反向還原量測等功能。

量測反向還原

二極體的反向還原時間是二極體中切換速度的量測單位,因此會影響轉換器設計中的切換損耗。反向還原電流發生在第二脈波開啟期間。如圖所示,二極體在第 2 階段期間以順向狀態傳導。當低端 MOSFET 再次開啟時,二極體應立即切換為反向阻斷狀態;然而,二極體仍會在很短的一段時間內以反向狀態傳導,即反向還原電流。此反向還原電流會轉換成能量損耗,而這會直接影響到電源轉換器的效率。

measuring device reverse recovery

雙脈波測試電路。

產品

5 series B MSO - MSO58B

5 系列 B MSO 混合訊號示波器

5 系列 MSO 是一種混合訊號示波器,配備高清晰顯示器與觸控式螢幕、最高 8 個輸入、12 位元類比至數位轉換器,以及最高 2 GHz 的頻寬。

6 Series B MSO Mixed Signal oscilloscope

6B系列 MSO 混合訊號示波器

疑難排解和驗證高速設計,兼顧現在與未來,可升級的頻寬從 1 GHz 起,最高可達 10 GHz。

5 series B double pulse test

寬能隙雙脈波參考解決方案

利用這套完整的儀器、軟體、探棒與服務,加速驗證 SiC 和 GaN 功率裝置及系統。   透過下列方式增進您的系統效能並縮短上市時間: 符合 JEDEC 和 IEC 標準的示波器分析 1 GHz 頻寬,能輕鬆分析快速切換訊號 任意函數產生器搭配內建軟體,可用於雙脈波測試波形 高端和低端探棒能提供共模雜訊排斥及精確量測   …
Tektronix AFG31000 function generator

AFG31000

採用 InstaView™ 技術的 AFG31000 系列是高效能函數產生器,內建波形產生應用程式、專利的即時波形監控,以及現代化使用者介面

IsoVu Isolated Oscilloscope Probes

IsoVu 隔離探棒

探棒系統在共模訊號或雜訊出現時進行高解析度量測。