與矽 IGBT 和 MOSFET 相比，碳化矽 (SiC) 電源裝置可提供更高的效率、更快的切換速度和更高的熱效能。電源系統設計人員在轉向 SiC 時必須考慮幾個問題：
- 我的測試設備是否能夠準確量測 SiC 系統中的快速切換動態特性？
- 如何準確優化閘極驅動效能和盲區時間？
- 共模電壓會影響暫態量測準確度嗎？
- 我看到的振鈴是真實的狀況，還是探棒特性響應的結果？
準確掌握 SiC 切換訊號是做出正確設計決策的關鍵。增加設計的容許度和過度設計只會增加成本並降低效能。使用正確的量測技術可能會有所不同。
本應用摘要中將解說如何使用示波器進行精確的閘極電壓、汲極電壓和電流量測。涵蓋的主題如下：
- 使用光學隔離探棒進行精確的閘極電壓量測
- 在進行汲極至源極電壓量測時要避免的陷阱
- 使用電流觀察電阻器和 Rogowki 線圈探棒進行電流量測
- 執行永久和臨時測試點
透過這些技術，設計人員可以將 Tektronix IsoVu 光學隔離探棒和差動式探棒與 4、5 或 6 系列 MSO 示波器搭配使用，來驗證 SiC 電路級效能。