Current Language
×
Russian (Russia)

Выберите язык:

Включить меню
Current Language
×
Russian (Russia)

Выберите язык:

Свяжитесь с нами

Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00, тихоокеанское поясное время.

Звонок

Позвоните нам

Живой чат с представителями Tektronix. С 9:00 до 17:00 CET

Загрузить

Загрузить руководства, технические описания, программное обеспечение и т. д.:

ТИП ЗАГРУЗКИ
МОДЕЛЬ ИЛИ КЛЮЧЕВОЕ СЛОВО

Power Sequence for GaN HEMT Characterization


In order to measure the I-V characteristics of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT), a special power sequence is required to prevent unexpected damage during IV evaluation. The tools to capture the I-V curve must equip the function for a specific sequence. Keithley’s Automated Characterization Software (ACS) gives the ability to perform power sequencing for a GaN HEMT characterization of a device without damaging it and to capture its intrinsic I-V characteristics.