Разработка и изготовление полупроводниковых устройств

Использование новых полупроводниковых материалов, таких как SiC и GaN, часто приводит к необходимости решения уникальных задач во время разработки.

• Для определения характеристик постоянного тока полупроводниковых устройств требуется проведение комплексных измерений для получения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, а также измерений коротких импульсов.
• Тестирование полупроводниковых устройств высокой мощности приводит к необходимости повышения уровней напряжения и мощности, уменьшения времени переключения, увеличения пиковых токов и уменьшения токов утечки.
• Оборудование для производства полупроводниковых приборов должно быть автоматизированным, оснащенным интегрированной зондовой измерительной установкой, иметь высокий уровень быстродействия и производительности, чтобы обеспечить проведение испытаний с сортировкой кристаллов, испытаний для определения качества полупроводниковой пластины и испытаний на надежность.

Высокоскоростные цифровые интерфейсы требуют более быстрой проверки физического уровня. Более быстрая отладка, декодирование протокола и определение джиттера и помех от источников, например перекрестных помех, являются важными требованиями для разработчиков.

Так много проверочных электрических испытаний и так мало времени!