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検索結果

1 - 9 ヒット数 9
  • 半導体パラメータアナライザ
    Products

    半導体パラメータ・アナライザ｜ケースレー4200A-SCS型

    材料、半導体プロセス／デバイスの電気特性評価に対応した完全統合型ソリューション
    Compare models. Request a quote.

    最終更新日： Thursday, July 6, 2023

  • 4200A‐SCSパラメータアナライザを用いたFETベースのバイオセンサのDC I‐V特性評価
    Technical Document

    4200A‐SCSパラメータアナライザを用いたFETベースのバイオセンサのDC I‐V特性評価

    このアプリケーションノートは、典型的なバイオFETを説明し、SMU からデバイスへの電気的接続をどのように行うかを解説し、共通の DC I−V測定および測定を行うために使用される機器を定義し、 最適な結果を得るために考慮すべき事項について説明します。

    Date: Monday, February 08 2021

  • 4200A-SCSパラメータアナライザでのMOSFETのゲート電荷測定
    Technical Document

    4200A-SCSパラメータアナライザでのMOSFETのゲート電荷測定

    このアプリケーションノートでは、4200A-SCSパラメータアナライザによるJEDECゲート電荷テスト方法に基づいたMOSFETのゲート電荷を測定する方法について説明します。

    1KW-61388-0 | Date: Wednesday, October 03 2018

  • 4200A-SCSパラメータ・アナライザを用いた1/f電流ノイズ測定
    Technical Document

    4200A-SCSパラメータ・アナライザを用いた1/f電流ノイズ測定

    このアプリケーション・ノートでは、1/fノイズの基本から、実際の測定方法を解説します。 特定のレンジで電流スペクトル密度(ISD)を導出することによって機器のノイズフロアを決定、MOSFETのドレイン電流1/fノイズを測定、2端子デバイスで1/fノイズ測定を構成、さらには内蔵FFT機能について説明します。

    Date: Monday, February 26 2024

  • CVとIVの切り替え測定
    Technical Document

    CVとIVの切り替え測定

    4200A型 半導体パラメータ・アナライザと 4200A-CVIV型 マルチスイッチを使った簡単な切り替え方法をご紹介します。

    1KW-60635-0 | Date: Friday, March 10 2017

  • 有機FETのDC IV及びACインピーダンス測定
    Technical Document

    有機FETのDC IV及びACインピーダンス測定

    このアプリケーションノートでは、4200A-SCSパラメータアナライザを使用して、OFETでDC I-VおよびACインピーダンス測定を最適化する方法の概要を説明します。 最良の結果を得るためのタイミングパラメータ、ノイズ低減、シールド、適切なケーブル配線、およびその他の重要な測定上の注意事項について説明します。

    1KZ-61313-0 | Date: Thursday, June 07 2018

  • MOSFETとMOSCAPデバイスの特性評価でよくある質問 Top10
    Technical Document

    MOSFETとMOSCAPデバイスの特性評価でよくある質問 Top10

    ※PDF版には日本語化された図表が掲載されております。ぜひダウンロードしてご確認ください。 半導体特性評価の課題 エンジニア、研究者は、常に新しい半導体技術、プロセスの開発、または既存技術の改善を求められています。次世代スマートフォンの低電力フロント・エンドの設計、または高効率太陽電池パネルの新素材調査の場合でも、優れた確度、効率で電気測定できる計測器や測定技術が必要になります。 このeガイドでは、半導体測定、特にI-V（電流－電圧）とC-V（容量－電圧）測定に関する一般的な質問に答えます …

    Date: Tuesday, June 27 2017

  • 漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス
    Technical Document

    漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

    ソース・メジャー・ユニット（SMU）と KickStartソフトウェアを使用した高電圧半導体デバイスのブレークダウンと漏れ電流測定 はじめに 長年の研究と開発により、シリコンカーバイド（SiC）と窒化ガリウム （GaN）系パワーデバイスは、より現実的な選択肢になりつつあります。SiCとGaNへのシフトは、新しいデザインを可能にしています。SiC はハイパワー・アプリケーション向けに高電圧で高電力を駆動する能力を備え、GaNは中低電力アプリケーション向けに超高電力密度を備えており …

    Date: Wednesday, December 13 2023

  • 漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス
    Technical Document

    漏れ電流（リーク電流）測定方法｜高電圧半導体デバイス

    ケースレーは、ハイパワー半導体デバイスのテストでは、長い歴史と多くのノウハウを持っております。最近、2470型1100Vグラフィカル・ソースメータを発売し、SiC及びGaNデバイス・テストにおける困難な測定に対応します。このアプリケーションノートでは、2470型ソースメータ及びKickStartソフトウェアを使用した、高電圧半導体デバイス試験のためのアプリケーションをご紹介します。

    1KW-61601-0 | Date: Tuesday, August 20 2019