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Wind turbines for high-power producing components and devices

Efficacité énergétique et fiabilité

Accélérer la création de composants et appareils écologiques, propres, renouvelables, efficaces et haute puissance.

Nous vivons dans un monde en pleine transformation, où la gestion des ressources énergétiques limitées est devenue plus importante que jamais. Les avancées en matière de technologie de semi-conducteurs à large bande interdite, notamment le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), permettent de développer un écosystème énergétique propre, renouvelable et fiable tout en créant de nouveaux défis pour les ingénieurs. Les ingénieurs comptent sur Tektronix pour leur fournir des solutions de mesure permettant de relever les défis des écosystèmes électriques d'aujourd'hui et de demain. 

Découvrir les solutions de semiconducteurs de puissance pour le SiC et le GaN pour la R&D et la validation

Wide bandgap semiconductor materials research

Recherche sur les matériaux semi-conducteurs à large bande interdite

Les matériaux WBG sont au cœur du défi permanent qui consiste à améliorer les performances du SiC et du GaN pour parvenir à des vitesses de commutation plus rapides, une densité de puissance plus élevée, un fonctionnement à haute température, et une fiabilité, une taille et des coûts optimisés.
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

Caractérisation des dispositifs à large bande interdite

Des mesures de tension et de courant précises sont nécessaires pour comprendre les propriétés fondamentales et les performances électriques d'un dispositif SiC ou GaN.
iv characterization

Caractérisation I-V

La caractérisation I-V est le processus de mesure de la relation courant-tension des dispositifs électroniques. Elle est essentielle pour tester et optimiser les dispositifs et pour développer des semi-conducteurs à large bande interdite.
AFG31000 for double pulse testing

Test à double impulsion

Le test de deux impulsions est la méthode de mesure standard des paramètres de commutation des circuits d'alimentation MOSFET ou IGBT. La configuration du test de deux impulsions a toujours pris beaucoup de temps, car les générateurs de fonctions ne disposent pas d'un moyen intégré de configurer et de paramétrer le test.
wide bandgap devices

Validation des dispositifs à large bande interdite

La conception de nouveaux appareils SiC et GaN nécessite de réaliser de nombreux tests, à la fois pendant les phases de conception et de production, afin d'améliorer les processus, d'améliorer les rendements et de réduire les coûts. Le test des dispositifs d’alimentation WBG nécessite une meilleure résolution, une puissance et des vitesses plus élevées par rapport au silicium traditionnel.
Validating Power Management ICs

Validation des circuits intégrés de gestion de l'alimentation

Les composants de gestion de l'alimentation sont des ressources insoupçonnées. Ils sont essentiels pour assurer le bon fonctionnement des systèmes électroniques en coulisses.